一
、浙商证券外洋厂商占有相对于份额，年存国内存储清静紧张性凸显

存力的储芯底层反对于 ：半导体存储器芯片（主流为DRAM+NANDFlash）。存力的片行展现方式 ：数据中间+存储效率器 。

外洋巨头操作 ，业专国内存储清静紧张性日益凸显。题陈全天下DRAM市场简直由三星、浙商证券SK海力士以及美光所操作，年存CR3逾越95%，储芯全天下NAND flash市场由前三大厂商分说为三星、片行铠侠以及海力士  ，业专当初CR3市场份额达65% ，题陈CR6市场份额挨近95%
。浙商证券

二 、年存国内数据圈重大，储芯AI驱动“从算力到存力”的临时需要

患上益于家养智能、物联网 
、云合计等新兴技术的快捷睁开，中国数据正在迎来爆发式削减，驱动存储配置装备部署在数据中间推销占比进一步提升。据IDC预料，估量到2025年
，中国数据圈将削减至48.6ZB
，占全天下数据圈的27.8%，成为全天下最大的数据圈 。

AI技术革命增长高算力效率器等根基配置装备部署需要提升，AI效率器所需的DRAM/NAND分说是老例效率器的8/3倍。

三、存储周期拐点已经至，库存改善、价钱压力缓解

美光23Q1存货环比小幅回落，集邦咨询预料23Q2DRAM价钱跌幅收窄至10%-15%（23Q1为20%）
，库存情景改善、价钱压力缓解，存储行业周期迎来拐点。

四、先进存力的后退倾向：存算一体、HBM/DRAM、3DNAND

存算一体
：将存储单元以及合计单元合为一体，省去了合计的数据搬运关键，消除了由于数据搬运带来的功耗
，提升合计能效。

HBM/DRAM 
：作为存储器主流之一的DRAM技术不断降级 ，衍生出HBM（高带宽内存） ，其是一款新型的CPU/GPU内存芯片，将多个DDR芯片重叠后与GPU封装在一起，实现大容量，高位宽的DDR组合阵列 ，突破内存容量与带宽瓶颈 。

3DNAND（平面重叠技术）：可能解脱对于先进制程工艺的约束 ，不依赖于EUV技术，而闪存的容量/功能/坚贞性也有了保障。